物理系研究成果獲登Nature：利用剖面型掃描穿隧顯微能譜術(shù)參與合作

臺(tái)灣大學(xué)物理系教授邱雅萍研究團(tuán)隊(duì)（碩士生楊子良、博士黃柏超）參與香港大學(xué) （Prof. Lain-Jong Li）、澳洲New South Wales大學(xué)（Prof. Sean Li）等團(tuán)隊(duì)的研究工作（High-κ perovskite membranes as insulators for two-dimensional transistors），此研究成果已正式發(fā)表在2022年5月的Nature期刊。

研究的突破性和新穎性，是研究團(tuán)隊(duì)使用可轉(zhuǎn)移的高介電鈣鈦礦薄膜（SrTiO₃），成功使二硫化鉬（MoS₂）二維材料電晶體的電容等效厚度（Capacitance Equivalent Thickness, CET）達(dá)到次奈米尺度，並且達(dá)成短通道MoS₂ 場效電晶體的SS因子（Subthreshold-swing）紀(jì)錄最低值（79mV/dec）。鈣鈦礦有多元的材料選擇性及成熟的製作技術(shù)，其可轉(zhuǎn)移的特性，在此研究中成功提升短通道二維材料電晶體的表現(xiàn)，也為未來元件三維整合提供一條新的路徑。

邱雅萍教授研究團(tuán)隊(duì)利用剖面掃描穿隧顯微術(shù)（cross-sectional STM），檢測該元件介面處的高解析（sub-1nm）電子結(jié)構(gòu)資訊。藉由分析鈣鈦礦薄膜（SrTiO₃）_---與二維材料（MoS₂）及其與電極之間的特徵態(tài)密度（density of states），提供該元件介面處的高解析（sub-1nm）電子結(jié)構(gòu)資訊，展示可轉(zhuǎn)移的鈣鈦礦薄膜（SrTiO₃）_---介面電性的二維特質(zhì)。

這是國際上首次利用剖面型掃描穿隧顯微術(shù)檢測二維材料電晶體，提供原子級(jí)介面處電子結(jié)構(gòu)的直接證據(jù)。未來將繼續(xù)利用這項(xiàng)關(guān)鍵檢測技術(shù)，探討低維度半導(dǎo)體電晶體關(guān)鍵介面科學(xué)相關(guān)課題。

本研究成果已於2022年5月11日發(fā)表於Nature：https://www.nature.com/articles/s41586-022-04588-2。