恭喜電機(jī)系副教授胡璧合 榮獲2023年臺(tái)灣傑出女科學(xué)家獎(jiǎng) 「新秀獎(jiǎng)」

臺(tái)大電機(jī)系副教授日前榮獲2023年「臺(tái)灣傑出女科學(xué)家 — 新秀獎(jiǎng)」，她的研究專長(zhǎng)領(lǐng)域?yàn)榍罢澳蚊纂娮釉坝洃涹w電路設(shè)計(jì)，透過(guò)元件及電路的共同最佳化，使下世代電子元件及記憶體電路表現(xiàn)高密度、低功耗及高能效等特性。胡老師團(tuán)隊(duì)在2022年提出結(jié)合前段互補(bǔ)場(chǎng)效電晶體（CFET）與後段相容元件之三維8T CFET-BEOL SRAM設(shè)計(jì)，與其他CFET SRAM相比，在穩(wěn)定度、速度、能效及面積各方面皆達(dá)到顯著的改善，成果發(fā)表在半導(dǎo)體領(lǐng)域國(guó)際頂尖會(huì)議2022 International Electron Devices Meeting（IEDM）。其團(tuán)隊(duì)亦在2021 IEDM提出可應(yīng)用於低溫運(yùn)算控制電路的4T SRAM設(shè)計(jì)，透過(guò)縮小記憶體單元面積並降低寄生電容電阻的影響，有效改善能源效率，並提高記憶體密度。此外，在2019國(guó)際頂尖會(huì)議 Symposia on VLSI Technology & Circuits（VLSI）上，團(tuán)隊(duì)提出分離閘極鐵電場(chǎng)效電晶體（FeFET）記憶體之新穎結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，利用動(dòng)態(tài)調(diào)整記憶體視窗降低寫入電壓，並改善讀取感測(cè)區(qū)間於仿神經(jīng)運(yùn)算的應(yīng)用，其電導(dǎo)特性亦表現(xiàn)出良好的線性及對(duì)稱性。胡老師於半導(dǎo)體領(lǐng)域頂尖國(guó)際會(huì)議及重要國(guó)際期刊的發(fā)表內(nèi)容，展現(xiàn)出其團(tuán)隊(duì)豐沛的研究能量，且研究成果具學(xué)理創(chuàng)新及前瞻性。

胡璧合老師介紹: https://towis.loreal.com.tw/taiwan-FWIS-detail.php?id=76