賀校友胡正明榮獲2023總統(tǒng)科學(xué)獎(jiǎng)

臺(tái)灣大學(xué)電機(jī)工程學(xué)系1968級(jí)校友，同樣也是中央研究院院士、美國(guó)國(guó)家工程學(xué)院院士的美國(guó)加州大學(xué)柏克萊分校（UC Berkeley）榮譽(yù)講座教授–胡正明，目前榮獲「2023總統(tǒng)科學(xué)獎(jiǎng)」（應(yīng)用科學(xué)組）。其科學(xué)成就及重要貢獻(xiàn)，不僅提升臺(tái)灣學(xué)術(shù)聲譽(yù)及國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力，對(duì)於增進(jìn)人類(lèi)生活福祉更有深遠(yuǎn)的影響，實(shí)為臺(tái)灣學(xué)術(shù)界的最高典範(fàn)，全校師生對(duì)其成就深感敬佩，並同感榮耀。

總統(tǒng)科學(xué)獎(jiǎng)每2年頒發(fā)1屆，是我國(guó)最高榮譽(yù)的科學(xué)研究獎(jiǎng)項(xiàng)，是以提升臺(tái)灣在國(guó)際學(xué)術(shù)界地位為宗旨，並獎(jiǎng)勵(lì)數(shù)理科學(xué)、生命科學(xué)、社會(huì)科學(xué)及應(yīng)用科學(xué)領(lǐng)域在國(guó)際學(xué)術(shù)研究上具創(chuàng)新性且貢獻(xiàn)卓著的學(xué)者，尤以對(duì)臺(tái)灣社會(huì)有重大貢獻(xiàn)的基礎(chǔ)學(xué)術(shù)研究人才為優(yōu)先獎(jiǎng)勵(lì)對(duì)象。

胡教授專長(zhǎng)研究應(yīng)用物理科學(xué)與工程科學(xué)，擁有美國(guó)專利150件，發(fā)表過(guò)1000篇的研究論文，於UC Berkeley任教長(zhǎng)達(dá)40餘年，1997年時(shí)就曾榮獲傑出教學(xué)獎(jiǎng)，也曾在2011年時(shí)獲頒臺(tái)大傑出校友（學(xué)術(shù)類(lèi)），獲獎(jiǎng)無(wú)數(shù)。他1999年所研發(fā)出來(lái)的三維電晶體「FinFET」，引入一種鰭片結(jié)構(gòu)，改善晶片過(guò)熱與微型化問(wèn)題，能夠顯著提升性能和功率效率，為全球積體電路持續(xù)微縮發(fā)展取得重大突破，深具關(guān)鍵性貢獻(xiàn)。

FinFET 使得電子設(shè)備性能不斷提升，從而實(shí)現(xiàn)更快、更節(jié)能的電腦、智能手機(jī)和高性能電子產(chǎn)品，這些先進(jìn)產(chǎn)品已成為人類(lèi)日常生活中不可或缺的一部分。胡教授的努力對(duì)將 FinFET 技術(shù)從研究實(shí)驗(yàn)室推向商業(yè)生產(chǎn)，產(chǎn)生持續(xù)而長(zhǎng)遠(yuǎn)性的影響，貢獻(xiàn)良多。（照片引自總統(tǒng)府官網(wǎng)）

獎(jiǎng)項(xiàng)內(nèi)容詳見(jiàn)：https://www.president.gov.tw/News/28013